支援 65nm 或更新技術節點的新產品－－4 kHz ArF 準分子雷射裝置
本裝置為世界首創採用注入鎖定技術的曝光裝置用光源機種，讓以往認為兩難的狹隘頻譜與高輸出功率得以並存。且因發射低峰值脈衝能量減輕對光學系統的傷害，所抑制的經常成本達到業界頂尖等級。此外，除搭載新開發的高階自我診斷功能（self diagnosis）外，更大幅改善模組更換性等服務性，達成高可靠性、高稼動率。
特色
注入鎖定（Injection-locked）雷射
領先業界首次將注入鎖定技術(*)導入量產機種，可達 45 W 的高輸出功率，能高穩定發射半寬度達 0.2 pm、E95 達 0.5 pm 的頻譜線寬 DUV 雷射光，為業界頂級水準。並且實現了低峰值脈衝能量，減輕對雷射以及曝光裝置光學系統的傷害。
| 注入鎖定技術是將調整為極窄頻譜寬度發射的低功率雷射光（Master），注入高輸出功率的雷射共振器（Amplifier），經過雷射共振增幅，令以往認為窒礙難行的狹隘頻譜與高輸出功率得以並存的技術。 |
業界頂級的低經常成本
注入鎖定技術能減少對雷射光學零件的負擔，更因系統結構精緻化，大幅減低耗材（模組）的種類及更換頻率。以結果而言，實現了業界頂級的低經常成本。
高可靠性、高稼動性設計
除了新開發的高階自我診斷功能（self diagnosis）外，更大幅改善模組更換性等服務性，達到半導體工廠所需的高可靠性、高稼動率。
主要規格
| 規格項目 | 值* |
|---|---|
| 發射波長 | 193 nm |
| 平均輸出功率 | 45 W |
| 脈衝能量 | 11.25 mj |
| 發射頻率 | 4,000 Hz |
| 頻譜線寬（FWHM） | 0.2 pm |
| 譜頻幅度（以 95 %能量累計，E95） | 0.5 pm |
