應对持续技術進歩要求的液浸用曝光光源技術
至今，摩爾定律仍在最尖端製品製造領域繼續發展當中，藉此展開細微化的技術節點。這些最尖端設備當中，對轉印於晶圓上的曝光圖案、特別是EPE（Edge Placement Error）具有很高的要求。在作為光源上，透過減少直接影響EPE的CD LER/LWR （Line Edge Roughness/Line Width Roughness），以提升量產現場的產出良率。
新型液浸用曝光光源技術「GT66A」，藉由新開發的光學模組，成功降低30% 光斑對比，
並降低LER/LWR。另外，更藉由引進最新的高耐久性零件，使模組的保養維護週期延長了30%。藉此進一步改善製程產出良率，提升光源可用性，支援最尖端節點量產的高生產力。
主要特點
改善最尖端節點的產出良率
藉由新開發的光學模組，減低30%光斑對比，進而改善LER/LWR。藉此，在微影製程的最尖端節點量產上，更進一步改善產出良率。
高水準的可用性
藉由引進最新高耐久性零件，使模組的保養維護周期延長了30%。藉此實現高水準的可用性，有助於提升生產力。
提供可持續發展解決方案
標準配備無氦氣技術的光源，除了為稀有氣體供應不足風險做好準備之外，還採用減少気体消耗量的環保技術。
主要規格
| 規格項目 | 值* |
|---|---|
| 振盪波長 | 193 nm |
| 輸出 | 60 – 90W |
| 振盪頻率 | 6,000 Hz |
| 光譜寬度（95%能量累計-E95） | 300 +/- 1.5fm wafer average |
| 特點 | 減低EPE的解決方案 Continuous Reliability Improvement (CRI) Package 可持續發展解決方案 |
