推進光刻性能的进化浸没光刻光源
在制造最先进设备时，需要高生产力和可扩展性。这些最先进设备必须满足转移到晶圆上的光刻图案的要求，尤其是EPE（边缘位置误差）和高生产力。作为光源，通过减少直接影响EPE的CD LER / LWR（关键尺寸线边粗糙度/线宽粗糙度），GT80A在大规模生产现场提供了改善的产量。
新的浸没式光刻光源”GT80A”成功地通过新开发的模块提高了重复率12.5％。与GT65相比，这导致斑点对比度减少了36％，有助于进一步减小LWR / CDU（关键尺寸均匀性）。这些进展使工艺产量得到进一步提高，并支持在光刻领域的领先节点的高生产力。
主要特点
最先进节点的产量提高
通过增加重复率并应用新的光学模块，GT80A实现了斑点对比度减少36％和LER / LWR改善。这些进展将使光刻中领先节点的产量得到提高。
高可用性水平
通过采用新开发的模块，GT80A实现了重复率的提高。这将有助于提高在光刻中领先节点的产量。
提供可持续解决方案
GT80A配备了无氦技术，并使用技术来降低公用事业的能源消耗，是一种环保的光源，可以减少稀有气体供应短缺的风险。
一般规格
| 項目 | 值* |
|---|---|
| 波長 | 193 nm |
| 輸出功率 | 60 – 90 W |
| 重複頻率 | 6,750 Hz |
| 光譜寬度 （95％積分能量 – E95） | 300 +/- 1.5 fm wafer average |
| 特點 | 降低EPE的解決方案 提高重複頻率 可持續解決方案 |
